순방향 바이어스란? 다이오드 전류 원리
순방향 바이어스란 PN 접합의 P형에 높은 전위, N형에 낮은 전위를 인가하는 방식입니다. 순방향 바이어스에서 공핍층과 전위장벽이 낮아지고 다이오드에 전류가 흐르는 원리를 알아봅니…

순방향 바이어스란 PN 접합의 P형에 높은 전위, N형에 낮은 전위를 인가하는 방식입니다. 순방향 바이어스에서 공핍층과 전위장벽이 낮아지고 다이오드에 전류가 흐르는 원리를 알아봅니…

공핍층이란 PN 접합 주변에서 이동 가능한 전자와 정공이 줄어든 영역입니다. 공핍층이 형성되는 과정과 내부 전기장·전위 장벽의 관계, 순방향·역방향 전압에 따라 폭이 달라지는 원리…

내장전위란 PN 접합 내부에서 전자와 정공의 확산으로 자연스럽게 형성되는 전위차입니다. 내장전위가 생기는 과정과 공핍층·전기장의 관계, 순방향·역방향 바이어스에 미치는 영향을 알아…

PN 접합이란 P형과 N형 반도체가 만나 형성되는 반도체의 기본 구조입니다. PN 접합에서 공핍층과 전위 장벽이 생기는 과정부터 순방향·역방향 전압에 따라 다이오드 전류가 달라지는…

도너와 억셉터는 실리콘의 전자와 정공 농도를 조절하는 반도체 불순물입니다. 도너와 억셉터가 각각 N형·P형 반도체를 만드는 원리와 캐리어 농도에 미치는 영향을 알아봅니다. 도너와 …

정공 Hole은 반도체의 가전자대에서 전자가 빠져나간 빈자리를 의미합니다. 정공이 실제 입자가 아닌데도 양전하처럼 이동하는 이유와 P형 반도체에서 전류를 만드는 원리를 알아봅니다.…

캐리어란 반도체 내부에서 전하를 운반해 전류를 만드는 전자와 정공을 의미합니다. 캐리어의 개념과 생성 과정, N형·P형 반도체에서 전자와 정공이 이동해 전류를 만드는 원리를 알아봅…

페르미 준위는 반도체 내부에서 전자가 에너지 상태를 점유하는 분포를 이해하는 기준입니다. 페르미 준위의 의미와 진성·N형·P형 반도체에서 위치가 달라지는 원리를 알아봅니다. 페르미…

가전자대와 전도대는 반도체에서 전자가 존재하고 이동하는 에너지 영역입니다. 가전자대와 전도대의 차이, 전자가 밴드갭을 넘어 이동하는 과정과 전자·정공이 전류를 만드는 원리를 알아봅…