MOSFET 문턱전압 Vth란? 채널 형성 원리
MOSFET 문턱전압 Vth란 게이트 전압에 의해 반도체 표면에 반전 채널이 형성되기 시작하는 기준 전압입니다. Vth의 의미와 채널 형성 과정, 실제 MOSFET 구동전압과의 차…
반도체
MOSFET Body Diode란? 내부 다이오드 원리
MOSFET Body Diode란 전력 MOSFET의 반도체 구조에서 자연스럽게 형성되는 내부 PN 접합 다이오드입니다. Body Diode가 존재하는 이유와 전류 경로, 역회복 …
MOSFET Gate Charge란? 스위칭 속도 원리
MOSFET Gate Charge란 게이트 전압을 변화시켜 MOSFET을 ON·OFF할 때 충전하거나 방전해야 하는 전하량입니다. Gate Charge가 스위칭 속도와 손실에 미치…
BJT 포화영역이란? 스위치 동작 원리
BJT 포화영역이란 트랜지스터가 충분히 켜져 스위치의 ON 상태처럼 동작하는 영역입니다. BJT 포화영역에서 베이스 전류와 컬렉터 전류의 관계가 달라지는 이유와 VCE(sat)의 …
MOSFET RDS(on)이란? 도통저항과 발열
MOSFET RDS(on)이란 MOSFET이 ON 상태일 때 드레인과 소스 사이에 나타나는 도통저항입니다. RDS(on)이 전력손실과 발열을 만드는 원리와 게이트 전압·온도에 따라…
BJT 전류이득 β란? 베이스·컬렉터 관계
BJT 전류이득 β란 베이스 전류에 대한 컬렉터 전류의 비율을 나타내는 값입니다. BJT 전류이득 β의 의미와 IB·IC 관계, 동작점과 온도에 따라 β가 달라지는 이유를 알아봅니…
쇼트키 장벽이란? 다이오드가 빠른 이유
쇼트키 장벽이란 금속과 반도체의 접합에서 형성되는 에너지 장벽입니다. 쇼트키 장벽이 전류 흐름을 제어하는 원리와 Schottky Diode가 PN 다이오드보다 빠르게 스위칭하는 이…
항복전압이란? 역방향 전류 급증 원리
항복전압이란 다이오드에 역방향 전압을 높였을 때 전류가 급격하게 증가하기 시작하는 전압입니다. 항복전압이 발생하는 원리와 제너 항복·애벌랜치 항복의 차이, 회로에서의 의미를 알아봅…
역방향 바이어스란? 다이오드 차단 원리
역방향 바이어스란 PN 접합의 P형에 낮은 전위, N형에 높은 전위를 인가하는 상태입니다. 역방향 바이어스에서 공핍층이 넓어지고 다이오드가 전류를 차단하는 원리와 항복 현상을 알아…