금속배선 공정이란? 트랜지스터 연결 원리
금속배선 공정이란 반도체 칩 내부의 트랜지스터와 회로를 금속 배선으로 연결해 전기 신호와 전력을 전달하는 공정입니다. 금속층·비아·구리 배선의 구조와 다마신 공정 및 배선 저항이 …
전기·전자·자동화
CMP란? 웨이퍼 표면 평탄화 원리
CMP란 화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 반도체 웨이퍼 표면의 높이 차이를 제거하는 평탄화 공정입니다. CMP의 작동 원리와 Slurry·Pad 역할, Dishing·Eros…
열산화란? SiO₂ 절연막 형성 원리
열산화란 실리콘 웨이퍼를 고온의 산소 또는 수증기 분위기에 노출해 표면의 실리콘을 반응시켜 SiO₂ 절연막을 형성하는 공정입니다. 건식·습식 산화의 차이와 산화막이 반도체에서 중요…
이온주입이란? 웨이퍼 불순물 도핑 원리
이온주입이란 불순물 원자를 이온화하고 가속해 실리콘 웨이퍼 내부에 주입하는 반도체 도핑 공정입니다. 이온주입의 원리와 Dose·Energy 제어, P형·N형 영역 형성 및 어닐링이…
ALD란? 원자층 박막 증착 원리
ALD란 자기제한적 표면반응을 반복해 웨이퍼에 매우 얇고 균일한 박막을 형성하는 증착 기술입니다. ALD의 원자층 증착 원리와 Precursor·Purge 과정, CVD와의 차이 …
PVD란? 물리적 박막 증착 원리
PVD란 고체 재료를 물리적으로 기화하거나 원자를 방출시켜 웨이퍼 표면에 박막을 형성하는 증착 기술입니다. PVD의 원리와 스퍼터링·증발 방식의 차이, 반도체 금속막 형성에 활용되…
CVD란? 화학반응으로 박막 형성 원리
CVD란 기체 상태의 전구체를 웨이퍼 표면에서 화학반응시켜 얇은 박막을 형성하는 반도체 증착 기술입니다. CVD 공정의 원리와 LPCVD·PECVD 차이, 온도·균일도·Step C…
FIFO란? 먼저 들어온 데이터를 먼저 처리하는 원리
FIFO란 PLC에서 먼저 저장된 데이터를 가장 먼저 꺼내 처리하는 First In First Out 방식입니다. Queue 구조와 Write·Read Pointer를 이용한 데이…
PLC Shift Register란? Bit를 순서대로 이동시키는 원리
PLC Shift Register란 여러 Bit 데이터를 Clock이나 Trigger 신호에 따라 한 칸씩 순서대로 이동시키는 기능입니다. 컨베이어 제품 추적과 공정 상태 전달에 …